글로벌 GaN 웨이퍼 파운드리 시장, 5G 및 전기차 혁명으로 2032년 31.2억 달러 규모로 성장

 


글로벌 GaN(질화갈륨) 웨이퍼 파운드리 시장 가치는 2024년 17억 8,000만 달러로 평가되었으며, 2032년까지 31억 2,000만 달러에 도달하며 예측 기간 동안 연평균 성장률(CAGR) 8.2%의 견조한 성장을 기록할 것으로 전망됩니다. Semiconductor Insight의 최신 보고서에 따르면, 전력 전자 및 고주파 애플리케이션 전반에서 GaN 기술 채택이 가속화되고 있습니다.

GaN 웨이퍼 파운드리는 기존 실리콘보다 효율성, 전압 내성 및 열 성능이 뛰어난 화합물 반도체 소재인 질화갈륨을 전문적으로 생산합니다. 파운드리는 퓨어 플레이(전문 생산) 및 IDM(종합 반도체사) 파운드리 모델로 운영되며, 첨단 전력 장치와 RF 부품 생산의 핵심적인 역할을 하고 있습니다.

5G 및 전기차(EV): 시장 성장의 핵심 동력

보고서는 5G 인프라의 급격한 확산과 전기차(EV) 보급 확대를 시장 성장의 주요 동인으로 식별합니다.

  • 5G 네트워크 인프라: 전 세계 5G 기지국 배포가 700만 개를 넘어설 것으로 예상됨에 따라 고주파, 에너지 효율적인 GaN RF 전력 증폭기 수요가 급증하고 있습니다.

  • 전기차 전력 부품: 2030년까지 연평균 약 29% 성장이 예상되는 EV 시장에서 온보드 충전기(OBC) 및 DC-DC 컨버터에 GaN을 도입하여 효율을 극대화하고 에너지 손실을 줄이고 있습니다.

데이터 센터 및 HPC 분야의 신흥 수요

통신 및 자동차 부문 외에도 데이터 센터의 에너지 효율 개선을 위한 기회가 확대되고 있습니다.

  • 에너지 손실 절감: GaN 기반 전력 솔루션은 에너지 손실을 최대 30%까지 줄일 수 있습니다.

  • 차세대 컴퓨팅 인프라: 높은 전력 밀도와 시스템 효율성을 바탕으로 AI 중심의 워크로드와 하이퍼스케일 컴퓨팅 환경에서 핵심 기술로 자리매김하고 있습니다.

시장 세분화: 전력 전자 부문 주도

세분화 분석:

  • 유형별 (By Type)

    • 퓨어 플레이 파운드리, IDM 파운드리

  • 응용 분야별 (By Application)

    • 소비자 가전 (최대 점유율), 산업용, 자동차 (가장 빠른 성장), HPC, 기타

  • 웨이퍼 크기별 (By Wafer Size)

    • 150mm, 200mm (주요 트렌드), 기타

  • 기판 기술별 (By Substrate Technology)

    • GaN-on-Silicon (주류), GaN-on-SiC, GaN-on-Sapphire

경쟁 환경: 파운드리 리더들의 GaN 역량 강화

시장은 주요 반도체 기업들이 생산 능력 확대와 공정 기술 고도화에 막대한 투자를 진행하며 완만하게 집중된 구조를 보이고 있습니다.

  • Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) (Taiwan)

  • Samsung Foundry (South Korea)

  • United Microelectronics Corporation (UMC) (Taiwan)

  • GlobalFoundries (U.S.)

  • Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) (China)

  • Sanan Optoelectronics (SANAN) (China)

  • Vanguard International Semiconductor (VIS) (Taiwan)

  • Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) (Taiwan)

Semiconductor Insight 소개

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